抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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GaAs-Cs-Oの光電子放出しきい値は,GaAsとCs,0からできたヘテロ接合模型で説明できる。この模型の基礎となる考え方は任意のヘテロ接合に一般化でき.原理的には0.5eV以下の仕事関数をもつ表面を得る可能性が結論される。適当な下地に蒸着させた場合.遠赤外域での高効率歳出も可能である;写図2参16