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J-GLOBAL ID：201602014865012541   整理番号：69A0015061

負電子親和度光電子放出体のための低仕事関数表面

Low-work-function surfaces for negative-electron-affinity photoemit ters.

著者 (1件)： SONNENBERG H
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 14  号： 9  ページ： 289-291  発行年： 1969年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs-Cs-Oの光電子放出しきい値は,GaAsとCs,0からできたヘテロ接合模型で説明できる。この模型の基礎となる考え方は任意のヘテロ接合に一般化でき.原理的には0.5eV以下の仕事関数をもつ表面を得る可能性が結論される。適当な下地に蒸着させた場合.遠赤外域での高効率歳出も可能である;写図2参16

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  光電子放出 ,  仕事関数
準シソーラス用語： GaAs-Cs-O

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子親和度 ,  光電子放出 ,  仕事関数