文献
J-GLOBAL ID：201602014893107736 整理番号：66A0200289
MOS構造の容量一電圧曲線に及ぼす表面電荷の影響
Influence of charge interactions on capacitance ver sus voltage curves in mos structures
出版者サイト
複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (1件)：
WHELAN M V
WHELAN M V について
「WHELAN M V」ですべてを検索
資料名：
Philips Res Rep (Philips Research Reports)
Philips Res Rep について
JST資料番号 D0313A ですべてを検索
ISSN,ISBN,CODENですべてを検索
資料情報を見る
巻：
20
号：
5
ページ：
562-577
発行年：
1965年
JST資料番号：
D0313A
ISSN：
0031-7918
CODEN：
PRREA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
解説
発行国：
オランダ (NLD)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
MOSトランジスタの表面電荷を調べるために,pおよびn形Siを用いてC-V測定を色色の条件下で行なった。Si酸化被膜上に燐酸ガラスをつけると,バンドの近傍に大くの表面状態を作る。状態の緩和時間はn,p形に幾らか依存するが大体10
-8
secであった。湿ったN
2
ガス中450°Cの熱処理によって,表面状態は相当減少し,アクセプタに較べてドナー状態の方が著しい。また表面の電荷移動によるC-V曲線のヒステリシス効果も観測され,直流バイアス(20~50V)をかけて熱処理するとやはり減少する。燐酸ガラス膜をつけたものがこの効果は著しいことがわかった;図9表1参27
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
MOS構造
MOS構造 について
「MOS構造」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
曲線
曲線 について
「曲線」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
,
表面電荷
表面電荷 について
「表面電荷」ですべてを検索
この用語の用語情報を見る
前のページに戻る
TOP
BOTTOM
