文献

J-GLOBAL ID：201602015054737089   整理番号：71A0046577

GaAsの中性アクセプタに束縛された励起子ルミネセンスにおける2正孔遷移

Twohole transition in the luminescence of excitons bound to neutral acceptors in GaAs.

著者 (2件)： YEP T O ,  SCHAIRER W
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 9  号： 7  ページ： 421-424  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高純度試料で.4.2K以下の温度で1.5124eVの鋭い発光線を観測した。線は2重項を示し,低エネルギー側に3本のサテライトをもつ。これらは中性アクセプタに束縛された励起子の再結合によるもので,2本のサテライトは束縛励起子減衰後に励起状態の中性アクセプタが残る2正孔遷移によるものである。第3のサテライトはLOフォノン放出によるものである;写図1表2参13

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,  ルミネセンス ,  励起子
準シソーラス用語： GaAs ,  再結合発光 ,  中性アクセプタ ,  二正孔遷移

タイトルに関連する用語 (7件)： GaAs ,  中性 ,  アクセプタ ,  束縛 ,  励起子ルミネセンス ,  正孔 ,  遷移