抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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ディジタル情報の記憶用として遅延線メモリの原理を説明し,さらに線遅延型のものと多辺達延型のものとを遅延媒体としたそれぞれのメモリの動作および容量,速度の限界などについて解説した。最近ベル研究所で開発したせつ断型ストリップ遅延線並びにこれら遅延線を数百Mcのビットレイトで動作させ得る半導体トランスデュサにつき詳説した。これはGaAsなどの複合半導体をディフュージンドーピング技術を応用して薄膜層を作り高速動作を実現している。現在研究中の半導体トランスデューサは1kMcで動作する;図6