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J-GLOBAL ID：201602015121873570   整理番号：74A0237214

高周波MOS容量の逆転電荷再分布モデル

Inversion charge redistribution model of the high-frequency MOS capacitance.

著者 (2件)： BERMAN A ,  KERR D R
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 17  号： 7  ページ： 735-742  発行年： 1974年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MOS構造の高周波容量は,交流信号に逆転層電荷の応答がないと仮定して,空乏層電荷解析法で計算される。高周波で逆転電荷が空間的に再分布するようなより現実的なモデルを,逆転層キャリアの擬似フェルミ準位を使い,ポァソンーボルッマン方程式の解で扱った;写図6表1参19

シソーラス用語： MOS構造 ,  コンデンサ ,  静電容量 ,  半導体素子
準シソーラス用語： キャパシタンス

タイトルに関連する用語 (5件)： 高周波 ,  MOS ,  逆転 ,  電荷再分布 ,  モデル