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J-GLOBAL ID：201602015140200659 整理番号：65A0174840
磁性薄膜記憶装置の技術の現状
Bi ginring aspects of magnetic film memories
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著者 (1件)：
PETSCHAUER R J
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資料名：
IEEE Trans Magn (IEEE Transactions on Magnetics)
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巻：
MAG-1
号：
3
ページ：
185-192
発行年：
1965年
JST資料番号：
A0339B
ISSN：
0018-9464
CODEN：
IEMGAQ
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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標題の装置の主として破壊読出しシステム技術とその設計について述べた。考察の中心は1)スキュー,分散。動揺限界,磁わいなどの蓄積素子特性と素子の製法と設計,2)渦電流,縁磁界,感覚線配置などを考慮した素子の配置設計。8)フイルム記憶装置に特有の回路の三つである。例としてPABRI-TEK社の300nsのサイクルタイム,36ピット語-512語の装置についてデータを挙げて解説した。改良すべき点は容量の増加とピット当りの費用低減である;写2図8表2参8
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