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J-GLOBAL ID：201602015236160569   整理番号：72A0037895

GaSb表面ポテンシャルに及ぼす照射光の作用

Etude de Faction de la lumiere sur le potentiel de surface de l’antimoniure de gallium.

著者 (2件)： LASSABATERE L ,  SOONCKINDT L
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie A. Sciences Mathematiques, Serie B. Sciences Physiques)
巻： 273  号： 12  ページ： B490-8493  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0303B  CODEN： CHDAA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： GaSbの表面ポテンシャル(接触ポテンシ.ヤル)は照射光量とエネルギーに応じて変化することを観測した。光学的なしきい値は2eVのあたりにあり.光の照射時間および照射光エネルギーとともにその値は減少した。この効果をバンド構造から説明する;写図3参5

シソーラス用語： 光照射 ,  表面
準シソーラス用語： GaSb ,  接触ポテンシャル ,  表面ポテンシャル

タイトルに関連する用語 (2件)： GaSb ,  表面ポテンシャル