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J-GLOBAL ID：201602015479381652   整理番号：72A0044093

MOS構造をもつりんシリケートガラスの安定性

Phosphosilicate glass stabilization of MOS structures.

著者 (2件)： KAPLAN L H ,  LOWE M E
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 10  ページ： 1649-1653  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 盆属一ガラスー酸化物一シリコン(MGOS)系のフラットバンド電圧と安定性について・りんシリケートガラス層を用い・厚さと成分を変えて研究した。絶縁体の全体の厚さ500Aに対して,厚さは30-200A,成分はP,05の1-6mo1%のものを用いた。電気的性質の測定は,約101101‘/(がの範囲のナトリウムの4つの異なったレベルの混成後(金属化の前に)行なった。初期のフラットバンド電圧は.ナトリウム混成とPSG厚さの両方に直線性を示す。△V,1,シフトはすべてのナトリウムをトラップするのに十分な値までは厚さとP,0,濃度の積の直線減少関数である。それ以上のPSGレベルでは,△v,-1は増加する;写図5表1参1o

シソーラス用語： MOS構造 ,  ガラス
準シソーラス用語： りんけい酸塩

タイトルに関連する用語 (3件)： MOS構造 ,  シリケートガラス ,  安定性