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J-GLOBAL ID：201602015547002398   整理番号：70A0041847

ZnSe-Geヘテロ結合のスイッチングと記憶

Switching and memory in ZnSe-Ge heterojunctions.

著者 (1件)： HOVEL H J
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 17  号： 4  ページ： 141-143  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N形ZnSe-P形Geヘテロ接合はしきい値電圧を越すと100n秒程度で高インピーダンス状態から低インピーダンス状態にスイッチする。十分な電流を加えると10n秒程度で逆バイアス方向にリセットする。いずれの状態も全バイアスを最近2週間除去していても保持される;写図3参10

シソーラス用語： PN接合 ,  ゲルマニウム ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： ZnSe ,  スイッチング効果 ,  記憶 ,  電流-電圧特性

タイトルに関連する用語 (2件)： テロ ,  スイッチング