抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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非破壊読出し形織成磁性線記憶マトリクスの高速主記憶装置への適合性を評価するために.16K語72ビットの記憶容量にて読出しサイクル時間100ナノ秒および書込みサイクル時間200ナノ秒をもつ記憶装置を試作したので報告した。記憶マトリクスには,円周方向に磁化容易軸を処理した磁性線と,これに直交する語線および磁気キーパ線を構成したものを用いた。試作装置は.2
20回の妨害を加えても十分なる動信を保証し得ることを確認した;写図13表1参9