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文献
J-GLOBAL ID:201602015568064555   整理番号:58A0066404

500°Cで,Ni入りGe中へのCuの浸透が強まる現象

Enhanced Cu Concentration in Ge Containing Ni at 500°C.
著者 (2件):
資料名:
巻: 29  号: 11  ページ: 1578-1580  発行年: 1958年 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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Ni入りGeへ500°CでCuを入れると熱平衡の濃度の10倍も入り込む。見かけの拡散定数はこのため.2×10-8cm2/sec,飽和濃度は1016/cm3となる。この強い浸透は転位濃度に関係なく,またNiが入っていなくても同様に起る。これらの現象は,割込み位置に入ったCuと,沈殿しているCuまたはNiとの交換作用によると思われる
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