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J-GLOBAL ID：201602015568064555   整理番号：58A0066404

500°Cで,Ni入りGe中へのCuの浸透が強まる現象

Enhanced Cu Concentration in Ge Containing Ni at 500°C.

著者 (2件)： TWEET A G ,  TYLER W W
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 29  号： 11  ページ： 1578-1580  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： Ni入りGeへ500°CでCuを入れると熱平衡の濃度の10倍も入り込む。見かけの拡散定数はこのため.2×10^-8cm²/sec,飽和濃度は10¹⁶/cm³となる。この強い浸透は転位濃度に関係なく,またNiが入っていなくても同様に起る。これらの現象は,割込み位置に入ったCuと,沈殿しているCuまたはNiとの交換作用によると思われる

タイトルに関連する用語 (5件)： Ni ,  Ge ,  Cu ,  浸透 ,  現象