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J-GLOBAL ID：201602015595035192   整理番号：71A0035843

低温におけるGaAsの残留光伝導

Остаточная фотопроводимость арсенида галлня при криогенных температурах.

著者 (3件)： СЫТЕНКО Т Н ,  ДМИТРУК Н Л ,  ЛЯШЕНКО В И
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 5  号： 6  ページ： 1217-1219  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 補償された高抵抗の,および不純物伝導を示すN形GaAsの残留光伝導をT>10°Kでしらべた。この効果は吸収された光エネルギーに関して相加的で,Tく40°Kで観測される。移動度は2×103瞭/Vsの程度で暗移動度よりも1けた以上大きい。暗中における減衰は非常に遅く,10%になるのに18時間かかる;写図2参6

準シソーラス用語： GaAs ,  残留光伝導

タイトルに関連する用語 (3件)： 低温 ,  GaAs ,  残留光伝導