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J-GLOBAL ID：201602015605602694   整理番号：61A0112001

二重拡散シリコントランジスタを使ったmμsスイッチ回路

Applications engineering digests.Millimicrosecond avalanche switching circuits utilizing double diffused silicon mesa transistors.

資料名： Semicond Prod  (Semiconductor Products)
巻： 3  号： 12  ページ： 44  発行年： 1960年 
JST資料番号： E0226A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 電子なだれ増倍によって,きわめて短い立上り時間のパルスを作ることができる。これが簡単にシリコンメサトランジスタによって実現される。この回路による立上り時間は1mμs以下である。出力のパルス幅は正確に制御されるから,この回路は論理回路に使うことができる。また同様に,c級正弦波発振器,トリガー回路,記憶回路などに用いることができる

タイトルに関連する用語 (4件)： 二重拡散 ,  シリコン ,  トランジスタ ,  スイッチ回路