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J-GLOBAL ID：201602015617795870   整理番号：58A0060797

光抵抗体,光ダイオード,光トランジスタの性能と特性 I 光抵抗体について

Photowiderstande, Photodioden und Phototransistoren.Eigenschaften und Kenngrossen I.

著者 (3件)： GORLICH P ,  KROHS A ,  LANG W
資料名： Arch Tech Mess Ind Messte  (Archiv fuer Technisches Messen und Industrielle Messtechnik)
巻： 1958  号： 274  ページ： 235-238  発行年： 1958年 
JST資料番号： A0452A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： CdSはすでに標準のものが入手出来るが,結晶状のものは電極をつける前にコロナ放電をさせることにより抵抗変化の直線性が改善される.平面状のものは,高真空蒸着により得られるが,Ag,Au,Cuの添加により大幅に波長に対する感度が変る.CdSeは一般にCdSより劣るが赤外の方にのびている.PbSでは赤外の方へよりのばすためにドライアイスで冷して使用するのも作られている

タイトルに関連する用語 (3件)： 抵抗体 ,  光ダイオード ,  光トランジスタ