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J-GLOBAL ID：201602015626308850   整理番号：70A0250900

絶縁ゲート電界効果トランジスタの遷移領域近くの表面移動度

Surface mobility near the transition region of an insulated gate field effect transistor.

著者 (2件)： GNADINGER A P ,  TALLEY H E
資料名： SWIEEECO Rec Tech Program  (SWIEEECO Record of Technical Program Papers)
巻： 22nd  ページ： 171-175  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0550A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲート電界効果トランジスタの反転層中のキャリヤの移動度を特にスレッショールド領域に注目して解析した。チャネルのコンダクタンスとゲート電圧特性から表面移動度を求あた。ゲート電圧と表面電位の関係1よMIS容量について測定した準静的な熱平衡C-V曲線から実験的に求め,表面準位の影響もこの方法で考慮にいれた.Al-A1₂0₃-S_iio₂-Si構造の正孔移動度を求め.遷移領域近くの表百正孔移動度がバルク移動度と同程度であり,表面電位が増すと減少することを見出した。実験値と理論との一致はかなりよい;写図5 参11

シソーラス用語： FET ,  MOS構造
準シソーラス用語： FET(絶縁ゲート形/表面移動度) ,  絶縁ゲート形 ,  表面移動度 ,  表面移動度(MOS構造)

タイトルに関連する用語 (3件)： 絶縁ゲート電界効果トランジスタ ,  遷移領域 ,  移動度