抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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スイッチングトランジスタに少数キャリアを直接注入する新しいバイポーラロジックの考え方を提案した。製造工程は単一トランジスタと同じく簡単で,マスク工程数は4である。 このMTLはマルチコレクタ出力結合したインバータを用いており,デバイスは自己分離され,オーム牲の負荷抵抗は不要である。機能密度が高く,電力消費が低い。 実測では0.35pJの電力・遅延積を得た。集積密度は100ゲート/mil
2が実現され,レベルはTTLと結合できる。現在のFET方式よりも駆動能力がすぐれ,雑音余裕が高い;写図14参7