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J-GLOBAL ID：201602015804393042   整理番号：71A0240753

イメージオルシコンターゲットの残像を最小にする

Minimizing the image retention on image orthicon targets.

著者 (3件)： PRCHLIK J ,  BUCHAR J ,  GADZUK R
資料名： Tesla Electron  (Tesla Electronics)
巻： 3  号： 3  ページ： 83-87  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0801A  CODEN： TESEB   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 旧チェコスロバキア (CSK)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在あるイメージオルシコンの寿命は,残像が長くなるために終る。これは,走査期間に形成されるターゲット電荷の一部の光電面からターゲット膜のビームの端まで通過する時間が1/25秒より長くなるためである。ターゲット膜の新しい技術によって,この影響を少なくする方法がTESLA真空電子研究所で開発された。一定として,513QM8は,寿命1,000時間,SN比34~38dB,残像は,最大出力信号の0.5%以下(従来のものは5~10%)である;写図8表1参4

シソーラス用語： イメージオルシコン ,  ターゲット
準シソーラス用語： イメージオルシコン(ターゲット) ,  ガラスターゲット ,  ガラスターゲット(イメージオルシコン) ,  ターゲットガラス ,  ターゲットガラス(イメージオルシコン) ,  残像 ,  残像(イメージオルシコン)

タイトルに関連する用語 (1件)： 残像