文献

J-GLOBAL ID：201602015824075020   整理番号：72A0255404

装置および回路技術のためのバイポーラトランジスタのモデル

A bipolar transistor model for device and circuit design.

著者 (1件)： SCHILLING R B
資料名： RCA Rev (Radio Corp Am)  (RCA Review (Radio Corporation of America))
巻： 32  号： 3  ページ： 339-371  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0503A  ISSN： 0033-6831  CODEN： RCARCI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トランジスタの特性を物理的方程式により導出する際に,その領域を異った近似の成立する部分に分けて行なう方法によって,素子設計と回路技術者に有用なLinvi11の集中モデルを直線化したモデルが得られた。この場合のモデルパラメータは素子中の電荷分布によって得ることができる。特に素子特性に重要な影響を示す単一の領域のみを考慮する場合でもベース幅広がりに際しても良い近似で動作を予言できることを示した;写図1(1)参11

シソーラス用語： アバランシェダイオード ,  トランジスタモデル ,  設計

タイトルに関連する用語 (2件)： バイポーラトランジスタ ,  モデル