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J-GLOBAL ID：201602015897223656   整理番号：65A0162878

電解酸化による半導体ウェハの絶縁物のコーテング

Semiconductor chip instillation by anodic oxidation
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著者 (1件)：
LEHMAN H S

LEHMAN H S について


資料名：
IBM Tech Disclosure Bull  (IBM Technical Disclosure Bulletin)

IBM Tech Disclosure Bull について


巻： 761  号： 6  ページ： 526-529  発行年： 1964年 
JST資料番号： E0292B  ISSN： 0018-8689  CODEN： IBMTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント：
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ウェハをポタシウム硝酸塩を1%含むメチールアセタミードの電解液槽に入れ,ウェハと電解液の間に30分間10mAの電流を流すと,陽極が接続されているウェハの表面に沿って酸化物が生じる;図1
タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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電解酸化

電解酸化 について

, 
ウェハ

ウェハ について

, 
絶縁物

絶縁物 について


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