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J-GLOBAL ID：201602015997680779   整理番号：71A0043303

蒸着シリカ膜の誘電定数における水の影響

The effect of water on the dielectric constant of vapor deposited silica films.

著者 (2件)： SEDGWICK T O ,  KRONGELB S
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 2  ページ： 349-351  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ge上へのSiO,化学蒸着によって製作したMOS構造について,室温以下でのキャパシタンス-電圧測定を行う時,温度以下に伴なう明りのなキャパシタンスの減少が見出される。この誘電定数の温度感受性は酸化物蒸着条件,焼どん処理以外に膜の水含有量にも関係する。本報告ではこの水の影響を実験的に確めるとともに,この膜中:二含有する水とMOS構造を完成させるために5000Å厚さにメタラ停ングされるA1との間の反応についてもふれた;写図4参11

シソーラス用語： MOS構造 ,  シリカ ,  蒸着 ,  蒸着膜 ,  誘電率 ,  誘電率
準シソーラス用語： MOS構造(化学蒸着シリカ膜) ,  MOS構造体 ,  シリカ(蒸着膜/誘電率) ,  シリカ蒸着膜 ,  化学蒸着シリカ膜 ,  蒸着(シリカ;MOS構造体/誘電定数) ,  誘電定数 ,  誘電率(シリカ蒸着膜)

タイトルに関連する用語 (4件)： 蒸着 ,  シリカ膜 ,  誘電定数 ,  水