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J-GLOBAL ID:201602016027094369   整理番号:71A0045309

Se-CdSeのp-nヘテロ接合における深いトラップに起因する若干の性質

Некоторые свойства р-п переходов Se-Cdse, обусловленные глубокими ловушками.
著者 (4件):
資料名:
巻: 16  号: 3/4  ページ: 155-160  発行年: 1970年 
JST資料番号: A0003A  ISSN: 0001-6721  CODEN: APYCA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ハンガリー (HUN)  言語: ロシア語 (RU)
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Se-CdSeのP-n接合の反応性を研究。n層の空間電荷層中でイオン化したドナーとアクセブタの濃度を決定。ある条件下でのキャパシタンス測定からp-n接合のパラメーターを計算することができるDoleRaの理論は,Se-CdSe中で生ずる若干の現象を記述するのに不十分であることを示した。Dolegaの理論は,キャパシティブな感応からインダクティブな感応への変化,低振動数での容量の振動数依存性,および1/CZとUの間の異常な関係を説明できない;写図3表1参22
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