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J-GLOBAL ID：201602016039627265   整理番号：72A0259918

アバンシェダイオードの最適設計パラメータ

著者 (1件)： 松村正清
資料名： 電子通信学会論文誌 C  (Transactions of the Institute of Electronics and Communication Engineers of Japan. C)
巻： 54-C  号： 11  ページ： 987-994  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0623A  ISSN： 0373-6113  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 階段形p-nおよびn-n⁺界を有するシリコンp-n-n’アバランシェダイオードにおけるIMPATTモードの大信号電子アドミタンスを,種種の直流,交流および構造のパラメータの組み合せについて数値計算して,その結果を折線近似により簡単な近似式に統一した。この近似式を用いて残留抵抗の効果を定量的に調べ従来の理論と実験の不一致を解消すると同時に,素子設計の最適パラメータを明らかにした。近似式は微小信号電子アドミタンス,交流電圧,直流電流および降伏電圧をパラメータとして表わされていて,その相対誤差は25%以下である;写図11参15

シソーラス用語： アバランシェダイオード ,  最適設計

タイトルに関連する用語 (2件)： 最適設計 ,  パラメータ