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J-GLOBAL ID：201602016041376571   整理番号：65A0239007

Siの陽子線照射損傷

Proton bombardment damage in silicon.

著者 (2件)： BUBAKOVA R ,  SZMID Z
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 8  号： 1  ページ： 105-114  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR) 

抄録/ポイント： 複結晶分光計を利用して,〓6.5MeV陽子線(1~2×10¹⁸陽子/cm²)照射を受けたSiをX線(CuKαとMoKα)で調べた。格子定数の変化は△a〓+3×10^-5Aである。明らかにされたことがらは,(I-a)照射部分の原子面は元の位置から傾斜している。(Iーb)照射部分の原子面は全域にわたりゆるやかに曲がっており板の境界付近で曲りが急増する(I-c)照射.非照射部分での垂線のなす角は両部分の境界に垂直な面内で最大.(17”)境界に平行な面内で最小となる。(II)非照射部分に比べ照射部分の格子定数は増大する。(III)(222)面回折の存在よりダイヤモンド型構造中にある種の欠陥が生成していると考えられる;写2図5表1参5

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  陽子線照射 ,  損傷