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J-GLOBAL ID:201602016117485820   整理番号:60A0009099

半導体からの電場放出のいくつかの法則

О некоторых закономерностях автоэлектронной эмиссии с полуцроводников.
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資料名:
巻:号:ページ: 1851-1856  発行年: 1960年 
JST資料番号: R0029B  ISSN: 0367-3294  CODEN: FTVTA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN) 
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Geからの自動電子流の温度,電場依存性をしらべた。温度依存性は表面近くの層での電子密度によって決定される。実験結果は表面状態の影響が小さいときに理論とよく一致する
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