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J-GLOBAL ID：201602016150774056   整理番号：65A0009676

エッチング時および後のSiの室温酸化

Room temperature oxidation of silicon during and after etching.

著者 (4件)： RITTER J C ,  ROBINSON M N ,  FARADAY B J ,  HOOVER J I
資料名： J Phys Chem Solids  (Physics and Chemistry of Solid)
巻： 26  号： 4  ページ： 721-728  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： エッチングおよび凍結時のP形Si表面酸化層,エッチしたSiを繰返し酸素にさらした場合の酸化速度を10²~10^-3Ω-cm抵抗率範囲の試料で測定した。HNO₃でエッチングを凍結させた場合全抵抗率域で再現性のある薄い酸化膜が形成されるが,水でゆっくり凍結させた10^-3Ω-cm試料では異常に厚い酸化層ができる。¹⁸Oふん囲気(80%N₂+20%¹⁸O₂)内での酸化速度の時間依存性を1Ω-cm試料で測定した結果,酸化層内の原子数N(t)はElovich型方程式N=A+Blntでよく表わされた。酸化層測定は¹⁸O(p,n)¹⁸F反応を利用した陽子放射化分析で行ない,エッチした試料では6単原子層程度,酸化試料では0.01 ¹⁸O単原子層まで測定される;図5表1参12

タイトルに関連する用語 (4件)： エッチング ,  Si ,  室温 ,  酸化