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J-GLOBAL ID：201602016153918156   整理番号：70A0035652

トラップをもつ半導体における過渡的高密度注入

Transient high-density injection in a semiconductor with traps.

著者 (3件)： ANCKER-JOHNSON B ,  ROBBINS W P ,  CHANG D B
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 16  号： 10  ページ： 377-380  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P形InSbにおける高密度注入特性と77°Kで調べ,理論と比較した。Dean理論を拡張した結果は.密度依存的成長時間を含む観測結果とよく合う;写図2参6

シソーラス用語： キャリア注入 ,  固体プラズマ
準シソーラス用語： InSb ,  過渡電流

タイトルに関連する用語 (3件)： トラップ ,  高密度 ,  注入