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J-GLOBAL ID：201602016174387444   整理番号：70A0250855

半導体中の超格子と負性微分導電率

Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors.

著者 (2件)： ESAKI L ,  TSU R
資料名： IBM J Res Dev  (IBM Journal of Research and Development)
巻： 14  号： 1  ページ： 61-65  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0061B  ISSN： 0018-8646  CODEN： IBMJAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周期的に混晶比あるいは不純物濃度(たとえばpnpn・・・)を変化させた半導体中には一次元の周期的ポテンシャルすなわち超格子が形成される。この超格子の周期が100Å位で電子の平均自由距離より短ければ,Brillouin領域は小さな領域に分けられ,幅の狭い許容帯と禁止帯ができる。したがって電子の散乱時間が適当であれば,ある電界において超格子の方向に負性微分導電率が生ずる可能性がある。輸送方程式を解くことにより,この条件を見出し,電界とドリフト速度との関係を求めた;写図4参9

シソーラス用語： 超格子 ,  半導体
準シソーラス用語： 超格子(半導体/負性微分導電率) ,  負性微分導電率 ,  負性微分導電率(半導体/超格子)

タイトルに関連する用語 (3件)： 超格子 ,  微分 ,  導電率