抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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X線回折トポグラフィーおよびエッチング法によってSi結晶の欠陥の構造をくわしく調べた.この欠陥はX線複像をあらわし,一対の棒状の像と,板状の像万が観察されており,これをそれぞれ,第1種の複像,第2種の複像と名付けた.これら欠陥の発生は結晶の生長,条件,とくに水素ガス流の条件に密接に関係する.腐食面には一対の平行のエッチピットの整列が観察され,これは上記の複像に一対一に対応することを確認.試料を700~1000°Cで焼鈍すると複像は微細構造を示し,これはCuKα,線を用いた場合にだけ見られた.試料を1200°Cに焼鈍すると二つの型の転位ループが複像に対応する欠陥から生ずる.結晶生長条件と異常腐食現象の関係,複像欠陥の生成の機構,複像欠陥の性質について考察.
