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J-GLOBAL ID：201602016245055596   整理番号：74A0046002

Geの金属-半導体転移域における超音波減衰

Ultrasonic attenuation near the metal-nonmetal transition in n-Ge.

著者 (2件)： ISHIGUBO T ,  MIKOSHIBA N
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 569-574  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AsをgxlO16~6×10”cm。3ドープしたGeの超音波吸収4,11U方向に進む0.3~2GHzの縦波についてT=L5~30Kで1貫1健∴・中間および転移濃度域における減衰は,Tを15K以下に;.湾大し,低濃度では極大を示す。この異常減衰は活性化工;..二”∈2に寄与している励起準位と基底準位の間の緩和による,瓢5表1参12

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  超音波吸収 ,  不純物伝導

タイトルに関連する用語 (2件)： Ge ,  超音波減衰