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J-GLOBAL ID:201602016247183150   整理番号:65A0167114

SパンドGaAsGunn効果発振器

Sband GaAs gunn effect oscillators.
著者 (2件):
資料名:
号:ページ: 303-304  発行年: 1965年 
JST資料番号: D0578A  資料種別: 抄録・索引 (I)
記事区分: 短報  発行国: ドイツ (DEU) 
抄録/ポイント:
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室温で,尖頭電力2.5Wattsの約3Gcの発振をする,電力効率7%の標記発振器を作った。この発振器は,室温で0.75Ω-cmの比抵抗をもつ,易動度5500cm2V-1S-1のn形GaAsで作ったもので.化学的研摩したGaAsの(100)結晶片の片面に錫をかぶせたモリブデンの円盤を,他方の面に錫の球を,それぞれ,360°Cの水素雰囲気中で合金して,オーム接触させたものを小さなバラクターパッケージの中に組込んだもの;写3表1参5
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