文献

J-GLOBAL ID：201602016259101477   整理番号：72A0249565

Al₂O₃膜における導電性とMAOS構造における電荷蓄積

Conduction in AL₂O₃ films and charge storage in MAOS structures.

著者 (1件)： SALAMA C A T
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 12  ページ： 1993-1999  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコーン基体上にrfスパッタリンクにより析出したアルミニウム酸化膜の導電性について,広い温度範囲にわたり,測定した。電流輸送は,本質的にバルクによって支配され,膜の厚さ,電極材料および電極の極性には無関係であることがわかった。Poole-Frenkelエミッション,フィールドイオン化およびトラップホッピングの3つの過程が,これらの膜の導電性に影響を与えることがわかった。MAOSメモリ要素の電荷蓄績に影響を与える温度とかゲート電極のような各種のパラメータについても,セットした自動記録計により検討し,二つの絶縁層の導電特性と関係づけた;写図9参31

シソーラス用語： MOSFET ,  けい素 ,  スパッタリング ,  酸化アルミニウム ,  電気伝導 ,  薄膜 ,  誘電性
準シソーラス用語： 電荷蓄積 ,  導電性

タイトルに関連する用語 (3件)： Al2O3 ,  導電性 ,  電荷蓄積