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J-GLOBAL ID：201602016263277261   整理番号：74A0046286

GaNの光学的性質

Optical properties of GaN.

著者 (3件)： PANKOVE J I ,  MARUSKA H P ,  BERKEYHEISER J E
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 593-597  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaNの吸収端の低エネルギー側は指数関数的で,3,4eVで吸収係数は4×10°cm-Pに達する。1,3μ以上で起る自由担体吸収は波長の7~8乗で増大する。紫外光反射のピークは3.47eVである。光ルミネセンスは,低温では3.48eVで起る。温度を上げるとルミネセンスピークは低エネルギー側へ移動する。強度は50K以上では活性化エネルギー21meVで減少する;写図5参9

シソーラス用語： ルミネセンス ,  光学的性質
準シソーラス用語： GaN

タイトルに関連する用語 (2件)： GaN ,  光学的性質