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J-GLOBAL ID：201602016292185830   整理番号：70A0035809

多結晶膜に対する電気抵抗率

Electrical-resistivity model for polycrystalline films: the case of arbitrary reflection at external surfaces.

著者 (2件)： MAYADAS A F ,  SHATZKES M
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 1  号： 4  ページ： 1382-1389  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属薄膜の全抵抗率を3つの型の電子散乱機構が同時に働くようなモデルを用いて計算した。すなわち.バルク抵抗率を粒境界散乱と等方的パックグラウンド散乱の2つの取り入れたポルツマン方程式を解いて求め.このポルツマン方程式において外部表面による散乱を考慮することによって全抵抗率を求めた;写図5参18

シソーラス用語： 金属薄膜 ,  電子散乱 ,  導電率
準シソーラス用語： 電気抵抗率

タイトルに関連する用語 (2件)： 多結晶 ,  電気抵抗率