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J-GLOBAL ID：201602016350442090 整理番号：66A0009440
ZnOおよびCdSの可視吸収端
Optical absorption edges of Zno and cds.
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著者 (1件)：
LEHMANN W
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資料名：
J Electrochem Soc (Journal of the Electrochemical Society)
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巻：
112
号：
11
ページ：
1150-1151
発行年：
1965年
JST資料番号：
C0285A
ISSN：
0013-4651
CODEN：
JESOAN
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
アメリカ合衆国 (USA)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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n-型ZnOおよびn-型CdSの可視吸収端の不純物濃度依存性を研究した。(77°Kおよび300°Kで)ZnO:Ga,CdS:In系のいずれも,それぞれGaおよびIn濃度0.01%程度から可視吸収端はエネルギーの高い方にずれ始め,1%以上になるとまた一定になる。上記効果は,伝導帯と価電子帯の間に存在するエネルギー準位のために起る現象で,担体濃度が十分多くなって上記中間準位が埋めつくされて初めて伝導帯の底が可視吸収端として観測されるようになると考えられる
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