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J-GLOBAL ID：201602016396049210   整理番号：70A0036431

単結晶薄膜の製作

Fabrication of thin single crystal layers.

著者 (2件)： EDWARDS D F ,  LAZAllERA V J
資料名： J Phys E  (Journal of Scientific Instruments (Journal of Physics E))
巻： 3  号： 2  ページ： 156-158  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0354B  ISSN： 0022-3735  CODEN： JPSIAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の単結晶薄膜を製作する製造技術について述べた。この方法の利点は取りはずすことなく連続的にしかも容易に厚さを測定できることである。5μm厚さのゲルマニウム膜について検討した。他の材質についてもこの方法は使用できる;写図1参4

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  薄膜
準シソーラス用語： ゲルマニウム(単結晶薄膜) ,  単結晶薄膜 ,  半導体単結晶簿膜

タイトルに関連する用語 (2件)： 単結晶薄膜 ,  製作