文献

J-GLOBAL ID：201602016407193157   整理番号：65A0245768

シリコンP-N接合と金属の接触における光励起パルス発振

著者 (3件)： 林田敏明 (三洋電研) ,  榎本登 (三洋電研) ,  土井淳雅 (三洋電研)
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 4  号： 10  ページ： 813  発行年： 1965年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P形Siウェーハーに数μの深さにりんを拡散し,p形の側に金を蒸着でオーミック接触し,またニッケルを無電解めっきで整流接触させた素子で光励起による電流のパルス発振を観測.パルス間隔は照射強度により変化する.このパルス発振はn形SiにP形の拡散させた場合にも観測された.これは整流接触における負性抵抗とP-n接合のインピーダンスに起因する緩和現象によると推定.

タイトルに関連する用語 (3件)： シリコン ,  光励起 ,  パルス発振