抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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引上げ法で作られるシリコンやゲルマニウムの単結晶に相当多くの転位が生じてるこれは出来たての熱い結晶が冷えるとき内部に起きる温度勾配による熱的ひずみを生じ,このひずみは熱い半導体の塑性の流れにによって緩和されるので転位が生じる訳であるいろいろの結晶軸の方向に対してこの考えを適用,解析すると実験結果と一致することを記述している