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J-GLOBAL ID：201602016470337746   整理番号：74A0046110

Siのスピンに依存する光伝導度

Spin-dependent photoconductivity in silicon.

著者 (2件)： LEPINE D J ,  PREJEAN J J
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 805-808  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中のスピンに依存する再結合をESRによってスピン偏極を起して観測した。g因子2,007の常磁性中心がスピンに依存する再結合に関与している。再結合のスピン依存断面積は自由担体と再結合中心のスピン偏極度に比例するとした簡単な模型を提案した;写図2参7

シソーラス用語： 再結合 ,  電子スピン共鳴
準シソーラス用語： シリコン ,  光伝導度

タイトルに関連する用語 (3件)： Si ,  スピン ,  光伝導度