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J-GLOBAL ID：201602016498766367   整理番号：72A0254135

試相成長Al₂O₃のMOSへの応用

Pyrohydrolytic Al=2O=3 for MOS applications.

著者 (4件)： MICHELETTI F B ,  NORRIS P E ,  SCHLESIER K M ,  SHAW J M
資料名： Solid State Technol  (Semiconductor Products)
巻： 14  号： 12  ページ： 37-42  発行年： 1971年 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlCl₃,を用いた気相成長法でAl₂O₃を作り,相補形MOS集積回路に応用した。このAl₂O₃膜は比誘電率8.5±0.2,5-500kHzにおけるtanδ0.008,固定酸化膜電荷3×10¹¹cm²以下で,CMOS動作に必要なエンハンスメントPチャネルデパイスと低スレッショールドロチャネルデバイスの作製力呵能となる。トランジスタの特性は高利得で飽和特性もすく・れ,ほぱ同一のNMOSとPMOSのデバイスパラメータが得られ,すぐれたCMOSインバータやその他の回路のスイッチング特性が得られた。耐放射線性もすぐれている;写図9表2参31

シソーラス用語： MOSFET ,  MOS集積回路 ,  アルミナ ,  気相成長

タイトルに関連する用語 (4件)： 成長 ,  Al2O3 ,  MOS ,  応用