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J-GLOBAL ID：201602016556499986   整理番号：71A0038885

HBr愉送法によるGaAsおよびGe上へのZnSeのエピタクシー成長

Epitaxial ZnSe on GaAs and Ge by HBr transport.

著者 (3件)： PARKER S G ,  PINNELL J E ,  SWINK L N
資料名： J Phys Chem Solids  (Physics and Chemistry of Solid)
巻： 32  号： 1  ページ： 139-147, 142(1-5)  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GeおよびGaAs上へのZnSeのエピタクシーな成長条件を,ZnSe’H=-HBr,Zn-Se-HBr-HZ.Zn-H、Se-HBr-H,系について求あた。Zn-H:Se-HBr-H、系では結晶の完全性をもっとも良いがZnSe-H=-HBr系で最大の成長率を示した。Ge上でのZnSeは.G~As上よ日)結晶度の完全なものが得られた;写図8表4参16

シソーラス用語： エピタクシー
準シソーラス用語： ZnSe ,  セレン化亜鉛 ,  蒸気輸送法

タイトルに関連する用語 (5件)： HBr ,  GaAs ,  Ge ,  ZnSe ,  エピタクシー成長