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J-GLOBAL ID：201602016558405482   整理番号：58A0053136

準位の二つ出る不純物をもつ半導体中の,創生-再結合雑音

Generation-Recombination Noise in a Two-Level Impurity Semiconductor.

著者 (1件)： TEITLER S
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 29  号： 11  ページ： 1585-1587  発行年： 1958年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 上記の半導体での,創生-再結合の過程による雑音を一般的に表わす.これを,Znを入れたゲルマニウムについて20°K~100°Kにわたって適用すると,全体としての雑音は温度の上昇にともなって最大と最小とを示し,各準位からの雑音への寄与の割合が変化することが分った

タイトルに関連する用語 (3件)： 不純物 ,  再結合 ,  雑音