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J-GLOBAL ID：201602016587543967   整理番号：65A0161106

電界効果トランジスタと二極トランジスタの放射線公差の比較

A comparison of radiation tolerance of field effect and bipolar transistors

著者 (2件)： GREGORY B L ,  SMTS F M
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： ED12  号： 5  ページ： 254-258  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 電界効果トランジスタのチャネル幅および二極トランジスタのベース幅と中性子照射との関係を調べた。二極トランジスタに対するライフタイム低下についての最近のデータ,および可変抵抗物質に対するキャリア移動についてのデータから,電界効果トランジスタは二極トランジスタにくらべ放射線に対する耐性が小さいことが分った。10V以上のピンチオフ電圧をもつ電界効果トランジスタだけが二極トランジスタに優ることが分った;図2参8

タイトルに関連する用語 (4件)： 電界効果トランジスタ ,  トランジスタ ,  放射線 ,  公差