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J-GLOBAL ID：201602016610634959   整理番号：71A0368691

4~24MeV電子の射影飛程ストラッグリングに対する経験式

著者 (1件)： 多ばた達夫
資料名： Annu Rep Radiat Cent Osak  (Annual Report of the Radiation Center of Osaka Prefecture)
巻： 11  ページ： 67-70  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0001A  ISSN： 0474-7879  CODEN： ARROA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ebertらの電子透過曲線に対する経験式を修正して利用することにより,4~24MeV電子の射影飛程ストラッグリング(PRS)の分布に対する経験式を作った。この式によって与えられる曲線を,筆者らの測定した電荷たい積分布およびBergerとSeltzerがモンテ・カルロ法で計算した同分布と比較した。これらの電荷たい積分布はPRS分布をよい近似で表わしていると考えられるので,この比較から経験式の適用性が吟味できる。比較の結果,この経験式は,原子番号の小さい吸収体の場合にわずかにずれを示すが,他の場合には実際のPRS分布をよく再現することがわかった。PRS分布の半値幅△Rに対する2種類の経験式についても述べる(原報)

シソーラス用語： 距離 ,  電子 ,  方程式
準シソーラス用語： MeV領域0-10 ,  MeV領域10-100 ,  分散

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子 ,  射影 ,  飛程 ,  経験式