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J-GLOBAL ID：201602016647993479   整理番号：73A0251268

スイッチング,記憶および映像用アモルファス半導体

Amorphous semiconductors for switching, memory, and imaging applications.

著者 (2件)： OVSHINSKY S R ,  FRITZSCH H
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 20  号： 2  ページ： 91-105  発行年： 1973年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング,変調,蓄積および表示の機能をもっアモルファス半導体素子の動作と信頼性について検討した。多くの材料において構造上の変化が示されるので,高密度の情報蓄積および高分解能表表示素子としてアモルファス半導体が使用できる可能性がある。多くの材料において構造上の変化は可逆性がある。光による構造変化を生じるアモルファス薄膜の感度は熱または光照射による現像によって大きくできる;写図19表3参48

シソーラス用語： ガラス半導体 ,  記憶素子 ,  薄膜
準シソーラス用語： アモルファス半導体 ,  スイノチノク素子 ,  表子素子

タイトルに関連する用語 (3件)： スイッチング ,  映像 ,  アモルファス半導体