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J-GLOBAL ID：201602016660332732   整理番号：72A0038390

プラズマ酸化,温度酸化により作成したAl-Al₂O₃-Alトンネル接合の対数導電率

Logarithmic conductivity of Al-Al₂O₃-Al tunneling junctions produced by plasma-and by thermal oxidation.

著者 (2件)： GUNDLACH K H ,  HOLZL J
資料名： Surf Sci  (Surface Science)
巻： 27  号： 1  ページ： 125-141  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0129B  ISSN： 0039-6028  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマおよび温度酸化したAl-A1,0ゴAl膜を対数導電率特性で説明する。膜はトンネル理論との一致を示す。またこの特性の極大値からのA1-AI,0,の障壁の高さは光電測定からの値とかなり一致した;写図9表1参30

シソーラス用語： トンネル接合 ,  薄膜
準シソーラス用語： Al-Al₂O₃-Al接合 ,  プラズマ酸化 ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (5件)： プラズマ酸化 ,  酸化 ,  トンネル接合 ,  対数 ,  導電率