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J-GLOBAL ID：201602016664763436   整理番号：72A0039356

PbSeにおける自然のp-n転移

Natural p-n-transitions in PbSe.

著者 (1件)： GOBRECHT H
資料名： Proc Intern Conf Phys Chem Semiconductor Heterojunctions Layer Struct Budapest Vol IV  (Proceedings. International Conference on the Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures 701011 Vol.4)
ページ： 115-126  発行年： 1971年 
JST資料番号： K19700154  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： ハンガリー (HUN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 石英アンプル中1060°Cで成長させたPbSeの結晶につき,得られたP-n転移面と垂直方向の伝導度を測定した。その結果,伝導度に2つの極小値があることが判明した。またホットポイント法により.結晶の位置により決まる,熱起電力を測定した。伝導度の極小値については,モデルを仮定して説明した。また,p-n光効果についても研究した;写図11参3

準シソーラス用語： PbSe ,  光効果 ,  伝導型変換 ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (1件)： PbSe