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J-GLOBAL ID：201602016665248730   整理番号：72A0039201

光学的効果ならびにチャネリング効果の測定によるテルルをドープしたGaAsのアニーリング効果の研究

Investigation of Te-doped GaAs annealing effects by optical-and channeling-effect measurements.

著者 (4件)： MITCHELL I V ,  MAYER J W ,  KUNG J K ,  SPITZER W G
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 10  ページ： 3982-3987  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Teを1019cm-3の程度ドープしたGaAsのTe濃度の絶対値,格子点にあるTeのパーセンテージ.および自由キャリア濃度をアニールの関数として研究するために,2.5MeVのヘリウムイオンを用いた背面散乱とチャネリング効果の測定の赤外反射率プラズマ端の位置測定を行った。700°Cのアニールで,キャリア濃度は20±2%,格子点のTe原子の割合が減少した。1100°Cでアニール後,クェンチすると,キャリア濃度は7×1018cmP3に増加するが,Teの分布はもとの高い置換型に戻った;写図5表1参11

シソーラス用語： チャネリング ,  焼なまし
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (6件)： 光学 ,  テルル ,  ドープ ,  GaAs ,  アニーリング効果 ,  研究