文献

J-GLOBAL ID：201602016737010750   整理番号：71A0035984

低温でのGe,GaSbおよびInSbにおける縦波超音波の減衰

Attenuation of ultrasonic longitudinal waves in Ge,GaSb,and InSbat low temperatures.

著者 (2件)： GROUBERT E ,  BOYER A
資料名： Phys Status Solidi A  (Physica Status Solidi. A. Applied Research)
巻： 5  号： 2  ページ： 499-506  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 0031-8965  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： キャリア濃度が一10け/cm3程度の標記物質の(111)方向へ伝搬する縦波超音波の吸収を,100~350MHz,7-300ψKの間でパルスエコー法により測定した。20.K以下では吸収係数αは温度に依存しないが周波数分散が観られる。また20。K以上では残留吸収係数α。に対するαの変化はこれら三つの物質ではすべて格子の散乱に依る。超音波の低エネルギーフォノンと横方向熱フォノンは散乱が三フォノン過程の時のみ存在し,温度依存性はMarisの理論に一致している;写図7参14

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  超音波吸収 ,  半導体
準シソーラス用語： GaSb ,  パルスエコー法

タイトルに関連する用語 (7件)： 低温 ,  Ge ,  GaSb ,  InSb ,  縦波 ,  超音波 ,  減衰