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J-GLOBAL ID：201602016780254433   整理番号：72A0257042

電界効果トランジスタへの窒化金属絶緑のサーメット薄膜抵抗器の使用

Use of cermet thin film resistors with nitride passivated metal insulator field effect transistor.

資料名： NASA Tech Brief  (NASA Technical Brief)
号： 71-10375  ページ： 1p  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0611A  CODEN： NSTBA   資料種別： 技術報告 (T)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： FET ,  サーメット抵抗 ,  薄膜抵抗
準シソーラス用語： MNOS

タイトルに関連する用語 (5件)： 電界効果トランジスタ ,  窒化 ,  緑 ,  サーメット ,  薄膜抵抗器