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J-GLOBAL ID：201602016814779026   整理番号：72A0032649

単結晶シリコンにドープされた電気的に活性なほう素およびりんの原子の分布に対するチャネリングの影響

Влияние каналирования на распределение электрически активных атомов бора и фосфора, внедренных в монокристаллы кремния.

著者 (4件)： ГУСЕВ В М ,  БУШАРОВ Н П ,  ДЕМАКОВ К Л ,  КОЗЛОВ Ю Г
資料名： Dokl Akad Nauk SSSR  (Doklady Akademii Nauk SSSR)
巻： 197  号： 2  ページ： 319-322  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0025A  ISSN： 0002-3264  CODEN： DANKA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 電気的に活性なほう素およびりんのイオンをシリコンにドープさせた時.任意方向から衝撃した場合と指数の小さな方向例ではく110>,〈111>,〈100>から衝撃した場合の結果は非常に興味がある。この論文では散乱イオン強度と入射角,表面エッチング法による結晶表面からの深さとドナーおよびアクセプタ密度との関係などを測定し,結果は図および表によって示した;写図4表1参15

シソーラス用語： チャネリング
準シソーラス用語： インプランテーション ,  シリコン ,  ほう素イオン ,  りんイオン

タイトルに関連する用語 (8件)： 単結晶シリコン ,  ドープ ,  活性 ,  ほう素 ,  りん ,  原子 ,  分布 ,  チャネリング